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半导体传感器

一氧化碳传感器

一氧化碳检测用平面半导体气敏元件采用先进的平面厚膜生产工艺,由加热器以及微型Al2O3陶瓷基片上形成的金属氧化物半导体材料构成,用电极引线引出,封装在金属管座、管帽内。采用高低温循环检测方式检测一氧化碳(1.5V),高温(5.0V)时清洗低温时吸附的杂质气体。传感器的电导率随空气中一氧化碳气体浓度增加而增大,使用简单的电路即可将电导率的变化转换为与该气体浓度相对应的输出信号。

咨询热线:0371-86630636

产品特性

 

1、成本低、驱动电路简单

2、尺寸小、寿命长

3、在较宽的浓度范围内对一氧化碳有良好的灵敏度

 

 

技术参数

 

产品类型 平面半导体气体传感器
标准封装 金属封装
检测气体 一氧化碳
检测浓度 50~1000ppm CO
标准电路条件 回路电压 Vc ≤10V DC
加热电压 VH 5.0V±0.1V AC or DC(高温)
1.5V±0.1V AC or DC(低温)
加热时间 TL 60S±1S(高温),90S±1S(低温)
负载电阻 RL 可调
标准测试条件下气敏元件特性 加热电阻 RH 105±10Ω(室温)
加热功耗 PH ≤240mW
灵敏度 S Rs(in air)/Rs(in 100ppm CO)≥3
输出电压 Vs 2.5V ~ 4.3V (in 100ppm CO)
浓度斜率 α ≤0.6(R300ppm/R50ppm CO)
环境条件 使用温度 Tao -10℃~50℃
储存温度 Tas -20℃~70℃
相对湿度 RH 小于95% RH
氧气浓度 O2 21%±1%(不能低于18%)
氧气浓度的变化影响传感器敏感特性
预热时间 不少于48小时
氧气浓度 21%(不低于18%,(氧气浓度会影响传感器的初始值、灵敏度及重复性,在低氧气浓度下使用时请咨询使用)
寿命 10年

 

*具体参数请以规格书为准,如需获取更多技术信息,请联系:0371-86630636